APT10M07JVR

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Specifiche

Modello di prodotti

APT10M07JVR
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APT10M07JVR.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

ISOTOP®
Serie

POWER MOS V®
Dissipazione di potenza (max)

700W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

21600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1050nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

225A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT10M07JVR".

APT102GA60B2

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO247

Produttori: Microsemi

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