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4897181Immagine APT100GT60JR.Microsemi

APT100GT60JR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT100GT60JR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 148A 500W SOT227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 100A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ISOTOP®
  • Serie
    Thunderbolt IGBT®
  • Potenza - Max
    500W
  • Contenitore / involucro
    ISOTOP
  • Altri nomi
    APT100GT60JRMI
    APT100GT60JRMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    5.15nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    25µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    148A
  • Configurazione
    Single
APT102GA60L

APT102GA60L

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descrizione: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100M50J

APT100M50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Descrizione: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Descrizione: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Descrizione: IGBT 600V 229A 625W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Descrizione: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100S20BG

APT100S20BG

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Descrizione: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GN120J

APT100GN120J

Descrizione: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Descrizione: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Descrizione: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Descrizione: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Produttori: Microsemi
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APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Descrizione: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Produttori: Microsemi
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