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4314884Immagine APT10DC120HJ.Microsemi

APT10DC120HJ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT10DC120HJ
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Tensione - Picco inversa (max)
    1.2kV
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.8V @ 10A
  • Tecnologia
    Silicon Carbide Schottky
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Single Phase
  • Descrizione dettagliata
    Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SOT-227
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    200µA @ 1200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    10A
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Descrizione: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Descrizione: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100M50J

APT100M50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100S20BG

APT100S20BG

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descrizione: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT102GA60L

APT102GA60L

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino

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