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6206375Immagine APT10SCD120K.Microsemi

APT10SCD120K

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT10SCD120K
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS non conforme
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.5V @ 10A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-220-2
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Through Hole TO-220
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    10A
  • Capacità a Vr, F
    -

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APT11GF120KRG

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Descrizione: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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APT106N60B2C6

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Produttori: Microsemi
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APT11F80B

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Produttori: Microsemi
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APT1201R4BFLLG

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Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

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APT10SCD65KCT

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Produttori: Microsemi
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APT11N80BC3G

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 600V 41A 187W TO247

Produttori: Microsemi
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APT10SCD120B

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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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APT10M11JVRU2

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

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Produttori: Microsemi
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APT10M11JVR

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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Produttori: Microsemi
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APT11F80S

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Produttori: Microsemi
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APT10M11JVRU3

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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produttori: Microsemi
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APT10SCD120BCT

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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 1200V 25A 156W TO247

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