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APT10M11JVRU2

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Specifiche

Modello di prodotti

APT10M11JVRU2
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT10M11JVRU2.pdf
2.APT10M11JVRU2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-227
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

11 mOhm @ 71A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

450W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SOT-227-4, miniBLOC
Altri nomi

APT10M11JVRU2MI
APT10M11JVRU2MI-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

142A (Tc)

Notizie correlate
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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Produttori: Microsemi

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