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APT10M11JVR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT10M11JVR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS V®
  • Dissipazione di potenza (max)
    450W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    10300pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    450nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 144A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    144A (Tc)
APT100S20BG

APT100S20BG

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT102GA60L

APT102GA60L

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Descrizione: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Descrizione: IGBT 600V 183A 780W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT11F80S

APT11F80S

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Descrizione: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descrizione: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Descrizione: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT11F80B

APT11F80B

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descrizione: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino

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