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6667210Immagine APT102GA60B2.Microsemi

APT102GA60B2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT102GA60B2
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 183A 780W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT102GA60B2.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Condizione di test
    400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    28ns/212ns
  • di scambio energetico
    1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Potenza - Max
    780W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3 Variant
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    PT
  • carica gate
    294nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    307A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    183A

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