APT10SCD65K

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Specifiche

Modello di prodotti

APT10SCD65K
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE SILICON 650V 17A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APT10SCD65K.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.8V @ 10A
Tensione - inversa (Vr) (max)

650V
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220 [K]
Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

0ns
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-220-2
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Silicon Carbide Schottky
Descrizione dettagliata

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K]
Corrente - Dispersione inversa a Vr

200µA @ 650V
Corrente - raddrizzata media (Io)

17A
Capacità a Vr, F

300pF @ 1V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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APT10M07JVR

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Produttori: Microsemi

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