APTM100H80FT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM100H80FT1G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM100H80FT1G.pdf
2.APTM100H80FT1G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP1
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

960 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max

208W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP1
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3876pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

1000V (1kV)
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM100H80FT1G".

APTM100U13SG

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Produttori: Microsemi

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