APTM100H18FG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM100H18FG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM100H18FG.pdf
2.APTM100H18FG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP6
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

210 mOhm @ 21.5A, 10V
Potenza - Max

780W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP6
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

372nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

1000V (1kV)
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

43A

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM100H18FG".

APTM100H46FT3G

Descrizione: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Produttori: Microsemi

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