APTM100SK18TG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM100SK18TG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM100SK18TG.pdf
2.APTM100SK18TG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SP4
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

210 mOhm @ 21.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

780W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP4
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

372nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1000V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1000V 43A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

43A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM100SK18TG".

D222K25Y5PF63J5R

Descrizione: CAP CER 2200PF 50V Y5P RADIAL

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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