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APTM100DA18CT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM100DA18CT1G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SP1
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (max) a Id, Vgs

216 mOhm @ 33A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

657W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP1
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

570nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1000V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1000V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM100DA18CT1G".

SA52-11EWA

Descrizione: DISPLAY 627NM RED NUMERIC 0.52"

Produttori: Kingbright

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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