APTM100H35FTG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM100H35FTG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM100H35FTG.pdf
2.APTM100H35FTG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP4
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

420 mOhm @ 11A, 10V
Potenza - Max

390W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP4
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

1000V (1kV)
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

22A

Notizie correlate
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APTM100DA40T1G

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Produttori: Microsemi

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