APTM100TDU35PG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM100TDU35PG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APTM100TDU35PG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP6-P
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

420 mOhm @ 11A, 10V
Potenza - Max

390W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP6
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V
Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

1000V (1kV)
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

22A

Notizie correlate
spedizione
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CPS19-NO00A10-SNCCWTNF-AI0CYVAR-W0000-S

Descrizione: SWITCH PUSH SPST-NO 100MA 42V

Produttori: Schurter

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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