APTM50DDAM65T3G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM50DDAM65T3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM50DDAM65T3G.pdf
2.APTM50DDAM65T3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

78 mOhm @ 25.5A, 10V
Potenza - Max

390W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP3
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 51A 390W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

51A

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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM50DDAM65T3G".

APTM50DAM35TG

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 99A SP4

Produttori: Microsemi

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