APTM50AM70FT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM50AM70FT1G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM50AM70FT1G.pdf
2.APTM50AM70FT1G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP1
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

84 mOhm @ 42A, 10V
Potenza - Max

390W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP1
Altri nomi

APTM50AM70UT1G
APTM50AM70UT1G-ND
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 50A 390W Chassis Mount SP1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

50A

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM50AM70FT1G".

APTM50DAM38CTG

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 90A SP4

Produttori: Microsemi

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