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APTM50DDA10T3G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM50DDA10T3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM50DDA10T3G.pdf
2.APTM50DDA10T3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

120 mOhm @ 18.5A, 10V
Potenza - Max

312W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP3
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4367pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

37A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM50DDA10T3G".

MAX1118EKA+T

Descrizione: IC ADC 8-BIT 100KSPS SOT23-8

Produttori: Maxim Integrated

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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