APTM50DAM17G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM50DAM17G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 500V 180A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM50DAM17G.pdf
2.APTM50DAM17G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 10mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SP6
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

20 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1250W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP6
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 180A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM50DAM17G".

APTM50DAM38CTG

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 90A SP4

Produttori: Microsemi

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