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APTM20HM08FG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM20HM08FG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM20HM08FG.pdf
2.APTM20HM08FG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP6
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

10 mOhm @ 104A, 10V
Potenza - Max

781W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP6
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 208A 781W Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

208A

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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM20HM08FG".

APTM20HM16FTG

Descrizione: MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4

Produttori: Microsemi

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