APTM20HM10FG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM20HM10FG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APTM20HM10FG.pdf
2.APTM20HM10FG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP6
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

12 mOhm @ 87.5A, 10V
Potenza - Max

694W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP6
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 175A 694W Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

175A

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APTM20HM10FG".

1825Y0160823MXT

Descrizione: CAP CER 0.082UF 16V X7R 1825

Produttori: Knowles Syfer

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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