APTM20DHM16T3G

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Specifiche

Modello di prodotti

APTM20DHM16T3G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APTM20DHM16T3G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore

SP3
Serie

POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs

19 mOhm @ 52A, 10V
Potenza - Max

390W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP3
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

104A

Notizie correlate
spedizione
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2220J1000824JDT

Descrizione: CAP CER 0.82UF 100V X7R 2220

Produttori: Knowles Syfer

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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