APT75GP120J

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Specifiche

Modello di prodotti

APT75GP120J
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 1200V 128A 543W SOT227
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT75GP120J.pdf
2.APT75GP120J.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

3.9V @ 15V, 75A
Contenitore dispositivo fornitore

ISOTOP®
Serie

POWER MOS 7®
Potenza - Max

543W
Contenitore / involucro

ISOTOP
Altri nomi

APT75GP120JMI
APT75GP120JMI-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC

No
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.04nF @ 25V
Ingresso

Standard
Tipo IGBT

PT
Descrizione dettagliata

IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Cutoff collettore (max)

1mA
Corrente - collettore (Ic) (max)

128A
Configurazione

Single

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT75GP120J".

APT75GN60B2DQ3G

Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264

Produttori: Microsemi

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