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APT75GP120B2G

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Specifiche

Modello di prodotti

APT75GP120B2G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT75GP120B2G.pdf
2.APT75GP120B2G.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

3.9V @ 15V, 75A
Condizione di test

600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

20ns/163ns
di scambio energetico

1620µJ (on), 2500µJ (off)
Serie

POWER MOS 7®
Potenza - Max

1042W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3 Variant
Altri nomi

APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

PT
carica gate

320nC
Descrizione dettagliata

IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

300A
Corrente - collettore (Ic) (max)

100A

Notizie correlate
spedizione
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CMF553K8300FKEK

Descrizione: RES 3.83K OHM 1/2W 1% AXIAL

Produttori: Dale / Vishay

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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