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APT75GN120B2G

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Specifiche

Modello di prodotti

APT75GN120B2G
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT 1200V 200A 833W TMAX
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT75GN120B2G.pdf
2.APT75GN120B2G.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.1V @ 15V, 75A
Condizione di test

800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

60ns/620ns
di scambio energetico

8045µJ (on), 7640µJ (off)
Serie

-
Potenza - Max

833W
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
carica gate

425nC
Descrizione dettagliata

IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

225A
Corrente - collettore (Ic) (max)

200A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT75GN120B2G".

APT75GN120JDQ3G

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi

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