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Specifiche

Modello di prodotti

CSD19533Q5AT
Costruttore / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-VSONP (5x6)
Serie

NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

9.4 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta), 96W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

296-44472-2
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2670pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "CSD19533Q5AT".

CSD19536KTTT

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments

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