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Specifiche

Modello di prodotti

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Costruttore / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Tensione - Prova

5060pF @ 50V
Tensione - Ripartizione

DDPAK/TO-263-3
Vgs (th) (max) a Id

5.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (Max)

6V, 10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

NexFET™
Stato RoHS

Cut Tape (CT)
Rds On (max) a Id, Vgs

200A (Ta)
Polarizzazione

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

296-44970-1
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard

13 Weeks
codice articolo del costruttore

CSD19532KTT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

57nC @ 10V
Tipo IGBT

±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3.2V @ 250µA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100V
rapporto di capacità

250W (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "CSD19532KTT".

CSD19506KTTT

Descrizione: IC MOSFET N-CH 80V TO-220

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments

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