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Specifiche

Modello di prodotti

CSD19535KTT
Costruttore / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DDPAK/TO-263-3
Serie

NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

3.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Altri nomi

296-45538-1
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard

35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7930pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "CSD19535KTT".

CSD19532Q5BT

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A VSON

Produttori: Luminary Micro / Texas Instruments

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