EPC2110ENGRT

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Specifiche

Modello di prodotti

EPC2110ENGRT
Costruttore / Marca

EPC
Quantità stock

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Descrizione

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

EPC2110ENGRT.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 700µA
Contenitore dispositivo fornitore

Die
Serie

eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs

60 mOhm @ 4A, 5V
Potenza - Max

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

Die
Altri nomi

917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss)

120V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "EPC2110ENGRT".

EPC2112ENGRT

Descrizione: 200 V GAN IC FET DRIVER

Produttori: EPC

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