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EPC2108

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EPC2108
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    9-BGA (1.35x1.35)
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
  • Potenza - Max
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    9-VFBGA
  • Altri nomi
    917-1169-2
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 30V, 7pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • Tipo FET
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • Caratteristica FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V, 100V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.7A, 500mA
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Descrizione: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Descrizione: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2104

EPC2104

Descrizione: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Descrizione: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2801

EPC2801

Descrizione: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Descrizione: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Produttori: EPC
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EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Descrizione: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Descrizione: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2203

EPC2203

Descrizione: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2105

EPC2105

Descrizione: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Produttori: EPC
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EPC2105ENG

EPC2105ENG

Descrizione: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Produttori: EPC
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EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Descrizione: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Produttori: EPC
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EPC2202

EPC2202

Descrizione: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Produttori: EPC
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EPC2110

EPC2110

Descrizione: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Descrizione: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Descrizione: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Produttori: EPC
In magazzino
EPC2107

EPC2107

Descrizione: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Produttori: EPC
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EPC2106

EPC2106

Descrizione: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Produttori: EPC
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EPC2111

EPC2111

Descrizione: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Produttori: EPC
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EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Descrizione: 200 V GAN IC FET DRIVER

Produttori: EPC
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