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Specifiche

Modello di prodotti

EPC2107ENGRT
Costruttore / Marca

EPC
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

EPC2107ENGRT.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Contenitore dispositivo fornitore

9-BGA (1.35x1.35)
Serie

eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs

320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Potenza - Max

-
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

9-VFBGA
Altri nomi

917-EPC2107ENGRDKR
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tipo FET

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A, 500mA

Notizie correlate
spedizione
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20/05/2025

5.0

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