TSM900N10CP ROG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM900N10CP ROG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM900N10CP ROG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

90 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

TSM900N10CP ROGTR
TSM900N10CP ROGTR-ND
TSM900N10CPROGTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard

30 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 15A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "TSM900N10CP ROG".

TSM9119EXK+T

Descrizione: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)

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