TSM900N06CP ROG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM900N06CP ROG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM900N06CP ROG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

90 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

TSM900N06CP ROGTR
TSM900N06CP ROGTR-ND
TSM900N06CPROGTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard

28 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 11A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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TSM8N70CI C0G

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A ITO220

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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