TSM3N80CP ROG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM3N80CP ROG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM3N80CP ROG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

94W (Tc)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

TSM3N80CP ROGDKR
TSM3N80CP ROGDKR-ND
TSM3N80CPROGDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard

20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

696pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "TSM3N80CP ROG".

TSM4435BCS RLG

Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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