TSM3443CX6 RFG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM3443CX6 RFG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM3443CX6 RFG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-26
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

SOT-23-6
Altri nomi

TSM3443CX6 RFGDKR
TSM3443CX6 RFGDKR-ND
TSM3443CX6RFGDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard

28 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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