TSM260P02CX6 RFG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM260P02CX6 RFG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM260P02CX6 RFG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-26
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

26 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-23-6
Altri nomi

TSM260P02CX6 RFGTR
TSM260P02CX6 RFGTR-ND
TSM260P02CX6RFGTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard

36 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 6.5A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Tc)

Notizie correlate
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TSM2N100CH C5G

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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