TSM250N02DCQ RFG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM250N02DCQ RFG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

TSM250N02DCQ RFG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

800mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

6-TDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

25 mOhm @ 4A, 4.5V
Potenza - Max

620mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-VDFN Exposed Pad
Altri nomi

TSM250N02DCQ RFGTR
TSM250N02DCQ RFGTR-ND
TSM250N02DCQRFGTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard

28 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

775pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Tc)

Notizie correlate
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TSM2311CX RFG

Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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