STW63N65DM2

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Specifiche

Modello di prodotti

STW63N65DM2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

-
Vgs (Max)

-
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

FDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs

-
Dissipazione di potenza (max)

-
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-
Tipo montaggio

Through Hole
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 100V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

-
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

65A

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STW63N65DM2".

STW58N65DM2AG

Descrizione:

Produttori: STMicroelectronics

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