STW58N60DM2AG

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Specifiche

Modello di prodotti

STW58N60DM2AG
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STW58N60DM2AG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Rds On (max) a Id, Vgs

60 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

360W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

497-16131-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STW58N60DM2AG".

STW56N60M2

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 52A TO247

Produttori: STMicroelectronics

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