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Specifiche

Modello di prodotti

STP11NM60
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP11NM60.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

MDmesh™
Rds On (max) a Id, Vgs

450 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

160W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-2773-5
temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STP11NM60".

FTMH-110-03-LM-DV-P-TR

Descrizione: 1MM MICRO TERMINAL STRIPS

Produttori: Samtec, Inc.

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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