STP110N8F7

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Specifiche

Modello di prodotti

STP110N8F7
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.STP110N8F7.pdf
2.STP110N8F7.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

7.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

170W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-16486-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

46 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3435pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

46.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

80V
Descrizione dettagliata

N-Channel 80V 80A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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20/05/2025

5.0

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