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Specifiche

Modello di prodotti

STL20N6F7
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

STL20N6F7.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie

STripFET™ F7
Rds On (max) a Id, Vgs

5.4 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 78W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

497-16117-1
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 100A (Tc) 3W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Notizie correlate
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