STL20DN10F7

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Specifiche

Modello di prodotti

STL20DN10F7
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STL20DN10F7.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6)
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (max) a Id, Vgs

67 mOhm @ 2.5A, 10V
Potenza - Max

62.5W
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

497-14967-6
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

408pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Standard
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 62.5W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Notizie correlate
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STL21N65M5

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88

Produttori: STMicroelectronics

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