STI24N60M2

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Specifiche

Modello di prodotti

STI24N60M2
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STI24N60M2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I2PAK
Serie

MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs

190 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi

497-13775-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STI24N60M2".

RWR80SR931FRRSL

Descrizione: RES 0.931 OHM 2W 1% WW AXIAL

Produttori: Dale / Vishay

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Stal***e

20/05/2025

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