STI30NM60N

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Specifiche

Modello di prodotti

STI30NM60N
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STI30NM60N.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I2PAK
Serie

MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

130 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Produttori: Hirose

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Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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