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6320665Immagine STGW80H65DFB.STMicroelectronics

STGW80H65DFB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STGW80H65DFB
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STGW80H65DFB.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2V @ 15V, 80A
  • Condizione di test
    400V, 80A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    84ns/280ns
  • di scambio energetico
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    85ns
  • Potenza - Max
    469W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    497-14368
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    414nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    240A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    120A

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Descrizione: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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Descrizione: IGBT 650V 120A 469W TO-247

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STGWA15H120F2

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Descrizione: IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3

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