STGW8M120DF3

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Specifiche

Modello di prodotti

STGW8M120DF3
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.STGW8M120DF3.pdf
2.STGW8M120DF3.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.3V @ 15V, 8A
Condizione di test

600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

20ns/126ns
di scambio energetico

390µJ (on), 370µJ (Off)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247-3
Serie

M
Tempo di ripristino inverso (trr)

103ns
Potenza - Max

167W
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

497-17619
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
carica gate

32nC
Descrizione dettagliata

IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 167W Through Hole TO-247-3
Corrente - collettore Pulsed (Icm)

32A
Corrente - collettore (Ic) (max)

16A

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STGW8M120DF3".

IPA65R280E6XKSA1

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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