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Specifiche

Modello di prodotti

STB18NM60N
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STB18NM60N.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D2PAK
Serie

MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

285 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

497-10297-2
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Stal***e

20/05/2025

5.0

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