STB185N55F3

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Specifiche

Modello di prodotti

STB185N55F3
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STB185N55F3.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D2PAK
Serie

STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

3.5 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

330W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

497-7940-1
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

55V
Descrizione dettagliata

N-Channel 55V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "STB185N55F3".

60-2505-RB

Descrizione: ADD-A-RACK FOR SERIES 60 CABINET

Produttori: Bud Industries, Inc.

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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