MJD112T4

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Specifiche

Modello di prodotti

MJD112T4
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MJD112T4.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A
Tipo transistor

NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Potenza - Max

20W
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

497-2462-1
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

25MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 20W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)

20µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

2A
Numero di parte base

MJD112

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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