MJD122-1

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Specifiche

Modello di prodotti

MJD122-1
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

MJD122-1.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

4V @ 80mA, 8A
Tipo transistor

NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore

TO-251-3
Serie

-
Potenza - Max

20W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

497-16183
MJD122-1-ND
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

-
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Through Hole TO-251-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max)

10µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

8A
Numero di parte base

MJD122

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione:

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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